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  • 型号: BSR315P L6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSR315P L6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSR315P L6327价格参考。InfineonBSR315P L6327封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSR315P L6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSR315P L6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59MOSFET P-CH 60V 0.62A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

620 mA

Id-连续漏极电流

- 620 mA

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSR315P L6327SIPMOS®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSR315P_Rev1.03.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42acc6143f0

产品型号

BSR315P L6327

Pd-PowerDissipation

500 mW

Pd-功率耗散

500 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

800 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

0.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

28 ns

下降时间

28 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 160µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

176pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

800 毫欧 @ 620mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-SC-59

其它名称

BSR315PL6327HTSA1
SP000265405

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

620mA (Ta)

系列

BSR315

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BSR315PL6327HTSA1 SP000265405

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